至今年底為止，各家記憶體高雄市彌陀區投資外匯廠的3D NAND生產線將陸續進入量產，
在3D NAND的發展上，三星及東芝的進度最快，已經推出64層堆疊的3D NAND晶片，容量上看256～512Gb，而且在同樣產線上，位元出貨量可較NAND Flash成長3成左右。雖然3D NAND有助於NAND晶片廠成本下降，但是在所有NAND廠全數投入情況下，業界對明年3D NAND看法保守，價格戰已難以避免，明年將是3D NAND殺戮戰場。
工商時報【涂志豪╱台北報導】
今年NAND Flash製程持續往10奈米進行微縮，但因物理極限問題已出現發展瓶頸，因此，NAND Flash廠開始將投資主力放在3D NAND，但也因產能出現排擠，NAND Flash產出量明顯減臺北市文山區銀行分行少，而3D NAND產出又十分有限。在製程及產品線世代交替的青黃不接情況下，正好遇到智慧型手機及固態硬碟（SSD）備貨旺季，NAND Flash因此出現缺貨問題，5月以來價格持續走高。
由於上游晶片廠持續將產能移轉生產3D NAND，導致2D架構NAND Flash產出量下滑，因此今高雄市甲仙區外匯推薦銀行
業界認為，智慧型手機的搭載容量已上看256GB，固態硬碟主流容量也上看512GB，加上資料中心開始採用NAND Flash儲存陣列，NAND Flash市場的確仍有很大的成長空間，只是3D NAND明年產能大量開出後，終端市場要大量去化如此龐大的新產能，並不是件太容易的事，所以明年NAND Flash價格下滑風險已然大增。
170CDB20CCF71E2A
留言列表
